微星High-Efficiency模式让标准EXPO DDR5内存延迟逼近ULL级别

微星于近日公布一项技术优化成果：在启用High-Efficiency模式后，标准EXPO DDR5内存的延迟可压缩至71.6纳秒，与专为极致低延迟设计的EXPO ULL内存所达到的71.4纳秒极为接近。

EXPO是面向AM5平台及DDR5内存的一键式超频技术，由AMD主导制定；而EXPO ULL则在此基础上进一步收紧次要时序参数，以实现更优的响应效率。

本次验证采用的测试配置包括AMD Ryzen 7 9800X3D处理器、微星B850M POWER主板、两套各16GB芝奇DDR5内存（一套为标准EXPO规格，另一套为EXPO ULL规格），以及微星GeForce RTX 5090显卡。在默认设置下，标准EXPO内存实测延迟为79.4纳秒，EXPO ULL内存为71.4纳秒；启用High-Efficiency模式后，标准EXPO内存延迟显著下降至71.6纳秒，性能表现已基本逼近ULL版本。

需要说明的是，该模式对EXPO ULL内存的延迟改善微乎其微，因此已配备ULL内存的用户无需额外启用此功能。该特性现已集成于微星CLICK BIOS X固件中，用户可在超频设置页面中，根据需求选择Tightest、Tighter、Balance或Relax四种预设档位。