全球内存市场持续紧缺，DDR4/DDR5价格齐涨，HBM扩产加剧NAND供应紧张

全球内存市场近期出现显著价格波动。根据投资银行巴克莱发布的最新报告，截至2026年10月，DDR4内存芯片的合约价格在过去三个月内累计上涨24%，月环比涨幅为4%。同期，技术代际更新的DDR5内存合约价累计上涨20%，月环比涨幅为3%。值得注意的是，尽管DDR5代表当前主流升级方向，但其价格涨幅仍低于DDR4。

这一现象反映出供需关系已同时影响新旧两代内存平台，缺货压力并未因技术迭代而缓解。巴克莱分析指出，当前存储器持续短缺正通过长期供应协议体现稳定性，合约价格与实际市场走势趋于一致，过去用于调节的上下限机制正逐步弱化。

另一家国际投行的独立研究也印证了上述趋势。其分析预测，DRAM与NAND闪存市场的整体供应缺口将延续至2028年。数据显示，DRAM供需失衡程度将在2027年第四季度达到峰值，缺口率升至13.9%；NAND则在2028年第一季度触及8.3%的缺口高点，此后数月才开始缓慢收窄。

此外，以人工智能应用为核心的高带宽内存HBM同样基于DRAM工艺制造，其产能需求持续攀升，促使制造商进一步向DRAM产线倾斜资源。这一调整在缓解AI相关内存供应压力的同时，却加剧了NAND领域的产能约束，形成跨品类的连锁供给紧张。