（原标题：北京大学申请一种提取隧穿场效应晶体管参数的方法专利，提高半导体技术领域的测量精度）
金融界2024年1月13日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种提取隧穿场效应晶体管参数的方法“，公开号CN117388662A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，本发明公开了一种提取隧穿场效应晶体管参数的方法，属于半导体技术领域。该方法用半导体参数分析仪测量N型或P型DL。
本文源自：金融界
作者：情报员
免责声明：本文为转载，非本网原创内容，不代表本网观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，请读者仅作参考，并请自行核实相关内容。
如有疑问请发送邮件至：bangqikeconnect@gmail.com