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长鑫存储取得温度控制专利,可控制半导体机台工艺腔室中反应窗口的温度

发布时间:2024-01-13 20:13:05

(原标题:长鑫存储取得温度控制专利,可控制半导体机台工艺腔室中反应窗口的温度)

金融界2024年1月13日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“一种温度控制系统及方法、装置、存储介质“,授权公告号CN113594067B,申请日期为2021年7月。

专利摘要显示,本申请实施例提供一种温度控制系统及方法、装置、存储介质,其中,所述方法包括:获取半导体机台的工艺腔室中反应窗口的当前温度;对所述当前温度与预设温度进行比较,得到比较结果;基于所述比较结果,调节所述工艺腔室的排气通道的排气量,以控制所述反应窗口的温度。

本文源自:金融界

作者:情报员

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