碳化硅功率器件_碳化硅功率器件概念股

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碳化硅衬底和晶圆的区别？

晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。

目前国内晶圆生产线以 8英寸和 12 英寸为主。碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅衬底材料主要应用于智能电网、轨道交通、电动汽车、新能源并网、开关电源、工业电机以及家用电器等领域的功率元器件。

碳化硅器件跟半导体芯片的区别？

区别在于碳化硅器抗氧化性，和抗碱行远强于半导体芯片。

1.抗化合性:当碳化硅材料在氧气中炮炼到1300℃时,在其碳化硅晶体表层已经生成二化合硅保护层。跟着保护层的加厚实,抵制了里面碳化硅继续被化合,这使碳化硅有较好的抗化合性。当气温达到1900K(1627℃)以上时,二化合硅保护膜已经被败坏,碳化硅化合效用加重,从而1900K是碳化硅在含化合剂氛围下的较高工作气温。

2.耐酸碱性:在耐酸、碱及化合物的效用方面,因为二化合硅保护膜的效用,碳化硅的抗酸能力非常非常强,抗碱性稍差。